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mercoledì 14 maggio 2014

L'SSD IBM del futuro è 275 volte più veloce di quello attuale

Usando la memoria a cambiamento di fase IBM è riuscita a velocizzare la struttura di archiviazione dei dati fino a 275 volte. Si chiama "Progetto Teseo" e un giorno potrebbe rimpiazzare la memoria NAND Flash che ritroviamo in moltissimi prodotti elettronici, come gli SSD. È il progetto di IBM, in collaborazione con l'Università di Patrasso in Grecia, ed è il primo tentativo di far gestire memoria phase change, NAND e DRAM a un singolo controller, il tutto su una scheda dedicata.



I primi risultati sono clamorosi: prestazioni dalle 12 alle 275 volte superiori rispetto agli SSD con interfaccia PCI Express. La memoria phase change (PCM), in italiano "a cambiamento di fase", è una soluzione non volatile formata da una lega calcogenura chiamata GST, in grado di cambiare fase (cristallina o amorfa) mediante una corrente che, attraversando la cella di memoria, induce il cambiamento di fase. Questo tipo di memoria passa rapidamente tra due stati, inoltre è stata dimostrata la capacità di assumere stati intermedi, in modo da archiviare due bit d'informazione per cella. La memoria PCM ha una latenza inferiore rispetto alla NAND, tempi di lettura/scrittura molto più rapidi e può sostenere milioni di cicli in scrittura. Insomma, sulla carta è migliore. Con il progetto Teseo IBM è riuscita a inserire la memoria PCM in una struttura ibrida, in modo da sfruttarne le caratteristiche positive, soprattutto la bassissima latenza. L'azienda ha usato la memoria in questione come cache oppure come layer tra NAND e DRAM, sviluppando un controller capace di gestire 2,8 GB di PCM (36 celle per scheda da 128 Mbit, 5 schede in totale) e dando vita a quello che è stato chiamato PSS (Prototype Storage Solution).

La soluzione PSS ha completato la maggior parte delle richieste in meno di 500 microsecondi, arrivando al massimo a 2000 microsecondi, mentre le soluzioni MLC hanno raggiunto 14.000 e 20.000 microsecondi. La memoria NAND TLC ha fatto pure peggio, toccando i 120.000 microsecondi. Risultati abbastanza chiari, specie se si pensa che la memoria PCM è stata realizzata con processo a 90 nm CMOS di Micron, non certo l'ultima novità quanto a produzione.

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